Your browser doesn't support objects Your browser doesn't support objects
Оцените, пожалуйста, удобство и практичность (usability) сайта:
Your browser doesn't support objects Your browser doesn't support objects
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ
Your browser doesn't support objects Your browser doesn't support objects
MOSFET компании IR для применения в автомобильном электрооборудовании подвергаются статическим и динамическим испытаниям в сочетании со 100%-ной автоматической визуальной проверкой на уровне пластин во избежание каких-либо дефектов. Стандарт AEC-Q101 требует, чтобы сопротивление канала транзистора RDS(ON) изменялось не более чем на 20% после 1000 термоциклов при тестировании. Однако при расширенном тестировании устройств серии AUIRFS максимальное изменение сопротивления RDS(ON) составило менее 10% после 5000 термоциклов, что подтверждает высокое качество и надежность используемых материалов.
Ряд устройств, выполненных в корпусе D2Pak-7P, характеризуются максимальным значением тока до 240 А.
Новое семейство HEXFET силовых MOSFET с вертикальным расположением затвора транзистора (trench) и высокой плотностью структуры включает устройства с рабочими напряжениями 40 120 В, выполненные в разнообразных корпусах для поверхностного монтажа. Устройства как со стандартными значениями напряжений, так и с логическими уровнями напряжения управления затвором устанавливают новый стандарт значения сопротивления в открытом состоянии RDS(ON) для MOSFET в пластмассовых корпусах, предназначенных для применения в автомобильном оборудовании. Могут быть достигнуты следующие эталонные (benchmark) максимальные значения RDS(ON):
Компания International Rectifier (IR) представила семейство MOSFET с эталонным значением сопротивления открытого канала RDC(ON) для применения в автомобильном электрооборудовании. Данные устройства предназначены для использования в таких приложениях, как электромеханический усилитель руля, интегрированный стартер с генератором переменного тока, управления бензонасосом и электродвигателями, а также других энергоемких нагрузках в гибридных транспортных средствах и платформах с двигателями внутреннего сгорания.
03.10.2011MOSFET с эталонным сопротивлением открытого канала
Your browser doesn't support objects Your browser doesn't support objects
Your browser doesn't support objects Your browser doesn't support objects
Your browser doesn't support objects Your browser doesn't support objects
Your browser doesn't support objects Your browser doesn't support objects
MOSFET с эталонным сопротивлением открытого канала
Комментариев нет:
Отправить комментарий